p型相关论文
超宽禁带半导体材料金刚石在热导率、载流子迁移率和击穿场强等方面表现出优异的性质，在功率电子学领域具有广阔的应用前景。实现p......
现代光电子产品和能源技术都大量使用透明导电氧化物（TCO）薄膜.由于太阳能电池、平板显示器、发光二极管、短波长激光器、节能玻璃窗......
热电材料是可以将热能和电能相互转换的功能材料,在余热回收中发挥着至关重要的作用。氧化锌（ZnO）因为Seebeck系数高（85℃时为-360 μ......
本研究以溶膠凝膠法製備ZnCo2O4 薄膜,先以旋轉塗佈法將薄膜鍍於石英基材上,之後將薄膜置放於氧氣氣氛下以350～500℃退火2 小時.由X......
P型掺杂一直是Ⅲ氮化物系列光电子器件关键技术,基于AlInN材料的光电子器件也是如此。目前虽已有几个课题组开展了相关的研究。但......
目的 利用硝酸甘油实验性偏头痛大鼠模型探讨P/Q型钙离子通道在偏头痛发病机制中的作用.方法 20只sD大鼠(雌雄各半)随机分为生理盐......
电缆桥架的安全工作载荷是影响安全、耗材及价格的关键数据.历次规程修订都没有深入研究,本文结合《彩色涂层不锈钢电缆桥架工程技......
Weighted L^p-estimates for Stokes flow in R＋^n with applications to the non-stationary Navier-Stokes
We study the time-decay properties of weighted norms of solutions to the Stokes equations and the Navier-Stokes equation......
In order to directly separate trivalent minor actinides(MA:Am,Cm) from fission products(FP) containing rare earths(RE) i......
Cd3As2 is an important II–V group semiconductor with excellent electrical and optoelectronic properties. In this work, ......
We obtained n-type and p-type modified graphene by mixing quantum dots and depositing electron-acceptor molecules on the......
乐队结构，状态的密度，电子密度差别和内在的 -Ga2O3 和做 N 的 -Ga2O3 的光性质被计算用基于密度第一原则功能的理论。在做的 N 以后......
采用固相反应合成了CuAl1-xFexO2单相多晶材料,系统报道了该系列样品的X射线衍射(XRD)、紫外吸收光谱以及电学性能的测量。结果表......
通过引入(NPB/MoO3)x/NPB作为空穴传输层,获得了低驱动电压的有机电致发光器件(OLEDs),(NPB/MoO3)x为多层结构(x为0,1和2)。通过对......
利用热蒸发物理气相沉积法在300K的硅基底上制备了p型多晶PbSe薄膜,研究了氧敏化过程对其微观结构和电性能的影响。经XRD、XPS和SE......
氧化锌(ZnO)是一种宽禁带半导体,具有机电耦合性能良好、激子束缚能高等特点,而且ZnO原料易得,成本低且无毒。这些优异性能使其在......
氧化物半导体薄膜晶体管(thin film transistor,简称TFT)载流子迁移率高(～1-100 cm2V-1s-1),可见光区透明性好,沉积温度低、因此可......
随着化石能源危机日益严重,热电材料越来越受到人们的广泛关注。Mg2X(X=Si,Ge,Sn)及其固溶体属于一种环境友好的中温(400800 K)热......
近些年来随着电子信息产业的迅速发展,氧化物半导体由于其高迁移率(-1-100 cm2/Vs),可低温甚至室温制备,可见光透明度高,可大面积......
目的 利用硝酸甘油实验性偏头痛大鼠模型探讨P/Q型钙离子通道在偏头痛发病机制中的作用.方法 20只sD大鼠(雌雄各半)随机分为生理盐......
本期带给读者一款样式特别的拖拉机模型——JOHN DEERE 620 LP。说它特别,一是在拖拉机的车头部分隆起一个圆柱形的缸体,二是在620......
利用直流反应磁控溅射法(纯金属锌作为靶材,Ar-N2-O2混合气体作为溅射气体)在石英玻璃衬底上制备了N掺杂p型ZnO薄膜。通过XRD、Hal......
利用化学气相沉积法(chemical vapor deposition,CVD),以Zn4(OH)2(O2CCH3)6.2H2O为固相源、ZnNO3为掺杂源制备出p型ZnO:N薄膜,采用......
通过氮气等离子体辅助脉冲激光沉积(PLD)技术制备了氮掺杂氧化锌(ZnO∶N)薄膜。经过低温快速热退火(RTA)处理后,ZnO∶N薄膜呈现p型......
采用SnO2和Al靶,通过射频(RF)溅射在石英基体上制备透明p型SnO2/Al/SnO2导电复合薄膜。沉积薄膜在500°C进行不同时间(1~8 h)退火......
ZnO是一种具有纤锌矿晶体结构的直接宽带隙半导体材料。由于ZnO薄膜在压电、光电、热电、铁电等诸多方面都具有优异的性能，被广泛应......
该论文介绍了各种阶谱单元及其基函数的表示式,包括一维阶谱单元、三角形阶谱单元、四边形阶谱单元、四面体阶谱单元、六面体阶谱......
采用金属有机化学气相沉积方法在玻璃上生长了掺氮的低电阻p型ZnO薄膜 .实验使用NO和N2 O共同作为氧源 ,且NO同时作为掺氮源 ,二乙......
期刊
为了了解RTV涂膜在电解质液膜下的半导体转变规律,采用电位-电容法结合Mott-Schottky分析技术研究了室温硫化(RTV)涂膜在质量分数......
研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0 13Ga0 87N的生长工艺 ,包括掺杂剂量和热退火条件 ,对材料电学性质的影响。得到了性能优良的P......
在分析了热电材料的发展背景和研究理论的基础rn上，采用热压法制备出单体和双层具有不同扩散势垒的 (Bi)1-0.850.8)与PbTe体系二元r......
期刊
采用离子注入技术对射频磁控溅射制备的ZnO薄膜进行N掺杂,通过退火实现了ZnO薄膜的p型转变。利用X射线衍射(XRD)和Hall实验对样品......
采用SnO2和Al靶，通过射频(RF)溅射在石英基体上制备透明p型SnO2/Al/SnO2导电复合薄膜。沉积薄膜在500°C进行不同时间(1～8 h)退火处......
通过氮气等离子体辅助脉冲激光沉积(PLD)技术制备了氮掺杂氧化锌(ZnO:N)薄膜.经过低温快速热退火(RTA)处理后,ZnO:N薄膜呈现p型导......
热电材料是一种极具潜力的能源材料。由于其既可以用于军事、航天等高科技领域,也可用于工业废热发电、小型可穿戴设备的能源供应......
意大利彝达公司最近推出了新一代E6P型剑杆织机，转速达800r／min。该机采用多层连接的墙板，具有足够的刚性，运动件都采用了最小惯量的优......
一、特点：FX4500P型计算器是当前较先进的可设程式科学计算器。它具有能同时显示计算方程式及计算成果的两行式显示特色，12个字符的......
南京旋立水泥技术工程有限公司（集团）突破传统破碎理念，开发了一种Q—P型球破机。把球磨机的高运转率和破碎机的高能量利用率巧妙的结......
到目前为止，性能不断迅速提高的透明氧化物半导体全部都是n型半导体（由电子导电）。而对P型半导体（由空穴导电）来说，尽管许多工程师在很久......
碲镉汞器件性能与材料及诸多工艺因素相关,而材料与电极间的接触性能是必须要解决的基础问题之一.利用金属In/Au在光伏长波碲镉汞......
